CETCOR-MeV – Cs Korrektor für TEM (MeV Bereich)

CETCOR-MeV – Cs Korrektor für TEM (MeV Bereich)

CETCOR-MeV - Cs Korrektor für TEM (MeV Bereich)

Der CETCOR-MeV ist eine Variante des CETCORs, die speziell für den Einsatz in Transmissionselektronenmikroskopen bis in den MeV Bereich entwickelt wurde. Der CETCOR-MeV korrigiert die sphärische Aberration (Cs) und zudem alle Bildfehler bis zur 3. Ordnung (A1,B2, A2, C3, S3, A3). Der CETCOR-MeV ist einsetzbar für Hochspannung von 400kV bis 1200kV. Bei 1200kV wird in Kombination mit einer cold-FEG ein Informationslimit von 44 pm erreicht. Der CETCOR-MeV eignet sich vor allem für hochauflösungs-TEM auf atomarer Ebene von materialwissenschaftlichen Proben.

Merkmale:

  • Hexapol-Typ Cs Korrektor für hochauflösungs-TEM bis in MeV Bereich
  • Automatische Korrektur aller axialen Bildfehler bis zur 3.Ordnung (A1,B2, A2, C3, S3, A3)
  • Verschwindende Delokalisation im Bild
  • In Kombination mit einer cold-FEG wird ein Informationslimit von besser als 44 pm (1200kV)
  • Kompatibel mit folgenden TEMs: Hitachi 1.2MeV ultra-high-voltage electron microscope. Weitere auf Anfrage.

Technische Daten:

  • Maße (HxBxT): 600 x 702 x 702 [mm]
  • Mikroskopie-Modus: TEM
  • Hochspannungsbereich: 400 - 1200kV

Anwendungsbereich:

Einsatz in der hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) bei hohen Beschleunigungsspannungen von 400kV bis 1200kV. Speziell im Bereich der Materialwissenschaften für besonders dicke Proben sowie zur Abbildung schwerer Elemente.

Kontakt

Haben Sie Fragen zu diesem Produkt oder zu Anwendbarkeit und Erweiterung für Ihr System, dann kontaktieren Sie uns unter info@ceos-gmbh.de

GaN_Probe_Cs_korrigiert

Abbildung von atomar aufgelöstem GaN. Die Bilder wurden bei 1.2 MeV mit einem CETCOR in ein Hitachi 1.2 MeV cold-FEG TEM aufgenommen. Bild (a) zeigt die atomare Lokalisation von GaN [411], wobei die Ga Atome lediglich einen projizierten Abstand von 44pm haben. Der kleine Ausschnitt beinhaltet die dazugehörige Simulation. (b) zeigt dieselbe Aufnahme mit einem Gauss-Tiefpassfilter in Falschfarben. Das kleine Bild zeigt die theoretische atomare Position von Ga (rot) und N (grün). In c) wurden Linienprofiele entlang von Ga Atomen aufgenommen. Es handelt sich um die Regionen in Bild b) die mit schwarzen Boxen markiert sind. Der 44 pm Abstand zwischen den Atomen kann klar aufgelöst werden. (Development of Holography Electron Microscope with Atomic Resolution. Hiroyuki Shinada, Hitachi Review Vol. 64 (2015), No.8).